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10月DRAM和NAND闪存价格开始反弹 这下真要涨价了比特派下载

　　【手机中国新闻】11月3日，手机中国注意到，存储行业减产效应正式显现，DRAM和NAND闪存的固定交易价格分别在过去两年中和过去三个月中首次出现反弹。据统计，截至10月31日，DRAM PC通用产品DDR4 8千兆位1G*8 2133MHz的平均固定交易价格为1.50美元，环比增长15.38%。截至同日，用于NAND存储卡/USB的128Gb 16G*8多层单元 (MLC) 通用产品的平均固定交易价格为3.88美元，环比上涨1.59%。

　　此前，由于存储新品行业产量远远大于需求量，终端市场上的存储产品价格出现了大幅度下降。虽然对于消费者而言，200块钱可以买到1TB的PCIe 3.0 TLC颗粒固态硬盘确实是一件好事，但是对于各大存储芯片厂商而言，过低的价格严重影响了它们的营收和利润。例如，海力士在最新的一份财报中就交出了亏损的成绩。

其中，组三开出4次，组六开出14，单选号码0-9分别出现：

奖号类型判断：近7次奇奇偶与大小小开出之后，下期组三出现3次，组六出现11次，其中组三相对较少，本期注意组三反弹。另外，重号开出比例较高，本期防再出，参考号码0。

排列三直选930出现之后下期奖号分别为：044-013-549-037。

012路比 3：0：0，012路形态：000。

第一位推荐：最近30期该位0路号码开出15个，目前遗漏0期，其中号码3出现1次，目前遗漏17期；号码6出现1次，目前遗漏13期；号码0出现3次，目前遗漏2期；号码9出现10次，目前遗漏0期。

　　目前，随着三星、海力士等厂商的减产，存储芯片的价格正在稳步回升。11月2日，《台湾经济日报》报道称，半导体业内多位消息人士消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。

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（本文来自于手机中国）比特派下载

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